IRFHM8363TR2PBF
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IRFHM8363TR2PBF |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.9mOhm @ 10A, 10V |
Leistung - max | 2.7W |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
Paket | Cut Tape (CT) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1165pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | IRFHM8363 |
IRFHM8363TR2PBF Einzelheiten PDF [English] | IRFHM8363TR2PBF PDF - EN.pdf |
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![]() IRFHM8363TR2PBFInfineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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